برنامههای جدید مایکرون برای توسعه نسلهای آینده حافظه DRAM
شرکت مایکرون اعلام کرد که در فرآیند تولید نسلهای آینده حافظه DRAM از فناوریهای پیشرفتهای همچون اتصال ویفر و لیتوگرافی High-NA EUV بهره خواهد برد.
بر اساس اعلام این شرکت، فناوری اتصال ویفر در فرآیند تولید حافظه DRAM نسل 1ε به کار گرفته میشود. همچنین مایکرون قصد دارد در نسلهای بعدی این حافظهها از لیتوگرافی High-NA EUV استفاده کند.
در تغییرات دیگر نقشه راه این شرکت، سلولهای حافظه 4F2 حذف شدهاند. مایکرون هماکنون در حال توسعه حافظههای جدید vHBM و vEIM برای ادغام مستقیم روی پردازندهها است.
منبع
- Tom's Hardware
هر منبع در سایتِ خودش باز میشود؛ این صفحه همینجا میماند.
دیدگاهها
این خبر دیگر در دسترس نیست
شاید کهنه شده یا منبعش برداشته شده. خبرهای تازهای که به کارِ شما میآید پایینِ همین صفحه است.
برو به «برای تو»